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发布时间:2022-08-29 02:43:00
四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因为导致臭氧层***的是氟氯烃中的氯原子,它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强,因此分离的可能性比较低。四氟化碳在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比),然而与可燃性气体燃烧时,会分解产生***氟化物。
随着芯片制程向7纳米迈进,细微杂质对芯片的损害更为明显,电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高,在此背景下,我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。四氟化碳是一种卤代烃,化学式CF4。它既可以被视为一种卤代烃、全氟化碳,也可以被视为一种无机化合物。零下198 °C时,四氟化碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高纯四氟化碳在常温常压条件下化学性质稳定,高纯四氟化碳是一种高纯电子气体,在电子产业中需求量大。
在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分,后经精馏而得成品。四氟化碳贮存注意事项:气瓶不得靠近火源,不得受日光曝晒,与明火距离一般应该不小于10米,气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。
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